Memória para Notebook Kingston KVR, 4GB, DDR4, 2666MHz, CL19 - KVR26S19S6/4
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Memória Kingston KVR, 4GB, DDR4
Um 512M x 64 bits (4GB) DDR4-2666 CL19 SDRAM (Síncrono DRAM), 1Rx16, módulo de memória, baseado em quatro 512M x 16 bits Componentes FBGA. O SPD está programado para JEDEC latência padrão DDR4-2666 temporização de 19-19-19 a 1,2 V. Esse SODIMM de 260 pinos usa dedos de contato de ouro.
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Características:
- Marca: Kingston
- Modelo: KVR26S19S6/4
Especificações:
- Fonte de alimentação: VDD = 1,2 V típico
- VDDQ = 1,2 V Típico
- VPP = 2,5V Típico
- VDDSPD = 2,2 V a 3,6 V
- Terminação no molde nominal e dinâmica (ODT) para sinais de dados, estroboscópio e máscara
- Atualização automática de baixo consumo de energia (LPASR)
- Inversão do barramento de dados (DBI) para barramento de dados
- Geração e calibração de VREFDQ on-die
- Classificação única
- EEPROM de detecção de presença serial (SPD) I2 integrada
- 8 bancos internos; 2 grupos de 4 bancos cada
- Corte de rajada fixo (BC) de 4 e comprimento de rajada (BL) de 8 através do conjunto de registradores de modo (MRS)
- BC4 ou BL8 selecionável on-the-fly (OTF)
- Topologia fly-by
- Comando de controle terminado e barramento de endereço
- PCB: Altura 1,18” (30,00 mm)
- Compatível com RoHS e sem halogênio
Geral:
- CL(DDI): 19 ciclos
- Tempo de Ciclo de Linha (tRCmin): 45,75 ns (min.)
- Atualizar para Ativo/Atualizar / Tempo de comando (tRFCmin): 350 ns (min.)
- Tempo ativo da linha (tRASmin): 32 ns (min.)
- Potência Operacional Máxima: TBD C*
- Classificação UL: 94 V - 0
- Temperatura de operação: 0º C a +85º C
- Temperatura de armazenamento: -55º C a +100º C
* A energia varia dependendo do SDRAM usado.
Conteúdo da Embalagem:
- Memória RAM